PG电子

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碲(Te)Tellurium

碲(Te)Tellurium

主要用于制备II-VI族化合物半导体、太阳能电池、热电转化元件、合金、制冷元件、气敏、热敏、压敏、光敏、压电晶体和核辐射探测、红外探测器等基础材料。

碲(Te)Tellurium

主要用于制备II-VI族化合物半导体、太阳能电池、热电转化元件、合金、制冷元件、气敏、热敏、压敏、光敏、压电晶体和核辐射探测、红外探测器等基础材料。

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镉(Cd)Cadmium

镉(Cd)Cadmium

常用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、高纯合金、电池、焊料、原子反应堆、光伏行业、红外探测等领域。

镉(Cd)Cadmium

常用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、高纯合金、电池、焊料、原子反应堆、光伏行业、红外探测等领域。

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锌(Zn)Zinc

锌(Zn)Zinc

用于人体微量元素添加剂、半导体化合物、还原剂、合金材料、高纯金属材料、有机化合物以及电子元件及集成电路贴片材料等领域。

锌(Zn)Zinc

用于人体微量元素添加剂、半导体化合物、还原剂、合金材料、高纯金属材料、有机化合物以及电子元件及集成电路贴片材料等领域。

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锑(Sb)Stibium

锑(Sb)Stibium

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb,高纯合金,电子致冷元件材料以及锗,硅单晶的掺杂剂,其氧化物还可作为阻燃剂。

锑(Sb)Stibium

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb,高纯合金,电子致冷元件材料以及锗,硅单晶的掺杂剂,其氧化物还可作为阻燃剂。

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铟(In)Indium

铟(In)Indium

主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池、红外探测器、荧光屏、磁敏器件等。

铟(In)Indium

主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池、红外探测器、荧光屏、磁敏器件等。

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硒(Se)Selenium

硒(Se)Selenium

用于制备硫系玻璃、红外材料、硒鼓材料、光电材料、静电摄影和其他光学仪器材料

硒(Se)Selenium

用于制备硫系玻璃、红外材料、硒鼓材料、光电材料、静电摄影和其他光学仪器材料

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