概述
高纯稀散金属
成都PG电子致力于超高纯稀散金属半导体材料的研发、生产和销售,主研99.99%-99.99999%的碲、锌、镉、锑、铟、硒、镓、铋、硫等单质及化合物,是国防军工、半导体、5G通讯等领域不可或缺的关键基础材料,是国家重要的战略资源。
公司是国内较早从事高纯稀散金属研发及生产的军民融合企业,在高纯稀散金属单质及化合物的研发、生产和销售领域处于龙头地位。团队先后开发了7N碲、7N锌、7N镉、6.5N锑和6.5N铟制备技术,并都实现了成果转化并形成批量生产能力,多个产品质量达到国外同行标准。
公司拥有年产50吨高纯碲、20吨高纯锑、30吨高纯锌的生产线以及1400平方米专业高纯稀散金属分析检测中心,配备ICP-MS、ICP-OES、X射线衍射仪、激光粒度分析仪等分析测试设备,能为客户提供完善的质量解决方案。
近五年承担国家/省部级项目
主持和参与制(修)定国家/行业标准
授权发明专利
实用新型专利
重大事件
产品展示
国家重要的战略资源
碲(Te)Tellurium
主要用于制备II-VI族化合物半导体、太阳能电池、热电转化元件、合金、制冷元件、气敏、热敏、压敏、光敏、压电晶体和核辐射探测、红外探测器等基础材料。
镉(Cd)Cadmium
常用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、高纯合金、电池、焊料、原子反应堆、光伏行业、红外探测等领域。
锌(Zn)Zinc
用于人体微量元素添加剂、半导体化合物、还原剂、合金材料、高纯金属材料、有机化合物以及电子元件及集成电路贴片材料等领域。
锑(Sb)Stibium
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb,高纯合金,电子致冷元件材料以及锗,硅单晶的掺杂剂,其氧化物还可作为阻燃剂。
铟(In)Indium
主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池、红外探测器、荧光屏、磁敏器件等。
硒(Se)Selenium
用于制备硫系玻璃、红外材料、硒鼓材料、光电材料、静电摄影和其他光学仪器材料
资料下载
为客户提供完善的质量解决方案