PG电子

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让每一栋建筑都能成为一个微型发电厂

概述

高纯稀散金属

成都PG电子致力于超高纯稀散金属半导体材料的研发、生产和销售,主研99.99%-99.99999%的碲、锌、镉、锑、铟、硒、镓、铋、硫等单质及化合物,是国防军工、半导体、5G通讯等领域不可或缺的关键基础材料,是国家重要的战略资源。

公司是国内较早从事高纯稀散金属研发及生产的军民融合企业,在高纯稀散金属单质及化合物的研发、生产和销售领域处于龙头地位。团队先后开发了7N碲、7N锌、7N镉、6.5N锑和6.5N铟制备技术,并都实现了成果转化并形成批量生产能力,多个产品质量达到国外同行标准。

公司拥有年产50吨高纯碲、20吨高纯锑、30吨高纯锌的生产线以及1400平方米专业高纯稀散金属分析检测中心,配备ICP-MS、ICP-OES、X射线衍射仪、激光粒度分析仪等分析测试设备,能为客户提供完善的质量解决方案。

2

近五年承担国家/省部级项目

8

主持和参与制(修)定国家/行业标准

10

授权发明专利

4

实用新型专利

重大事件

2023

2023年获批挂牌建成了四川省高纯稀散金属材料工程技术研究中心,并同昆明理工大学、中南大学等科研院所建立了产-学-研-用联盟,持续促进科技成果转化

2022

2022年,以高纯碲、碲化镉材料制备为基础联合发电玻璃制备成套技术的“大尺寸碲化镉发电玻璃关键技术及工程应用”荣获四川省科学技术进步一等奖;牵头承担国家科技部十四五重点研发计划“战略性矿产资源开发”重点专项:“6N 级以上超高纯稀有稀散金属制备技术”课题五“超高纯金属制备产业化技术研究”,实施钨、锑、铋、镓、锗、铟、硒、碲八种超高纯金属的产业化技术研究并建产线,确保我国关键原材料自主稳定供应;

2021

2021年,以集团碲化镉发电玻璃产业对基础原料的实际需求出发,自主申报国家攀西战略资源试验区建设第5批重大专项“碲化镉发电玻璃用核心原材料-5N碲化镉高产能低成本合成关键技术与合成设备”,获得776万专项资金支持;

产品展示

国家重要的战略资源

碲(Te)Tellurium

碲(Te)Tellurium

主要用于制备II-VI族化合物半导体、太阳能电池、热电转化元件、合金、制冷元件、气敏、热敏、压敏、光敏、压电晶体和核辐射探测、红外探测器等基础材料。

碲(Te)Tellurium

主要用于制备II-VI族化合物半导体、太阳能电池、热电转化元件、合金、制冷元件、气敏、热敏、压敏、光敏、压电晶体和核辐射探测、红外探测器等基础材料。

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镉(Cd)Cadmium

镉(Cd)Cadmium

常用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、高纯合金、电池、焊料、原子反应堆、光伏行业、红外探测等领域。

镉(Cd)Cadmium

常用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、高纯合金、电池、焊料、原子反应堆、光伏行业、红外探测等领域。

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锌(Zn)Zinc

锌(Zn)Zinc

用于人体微量元素添加剂、半导体化合物、还原剂、合金材料、高纯金属材料、有机化合物以及电子元件及集成电路贴片材料等领域。

锌(Zn)Zinc

用于人体微量元素添加剂、半导体化合物、还原剂、合金材料、高纯金属材料、有机化合物以及电子元件及集成电路贴片材料等领域。

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锑(Sb)Stibium

锑(Sb)Stibium

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb,高纯合金,电子致冷元件材料以及锗,硅单晶的掺杂剂,其氧化物还可作为阻燃剂。

锑(Sb)Stibium

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, BiSb, GaSb,高纯合金,电子致冷元件材料以及锗,硅单晶的掺杂剂,其氧化物还可作为阻燃剂。

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铟(In)Indium

铟(In)Indium

主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池、红外探测器、荧光屏、磁敏器件等。

铟(In)Indium

主要用于制备III-V族化合物半导体、高纯合金、掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料、太阳能电池、红外探测器、荧光屏、磁敏器件等。

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硒(Se)Selenium

硒(Se)Selenium

用于制备硫系玻璃、红外材料、硒鼓材料、光电材料、静电摄影和其他光学仪器材料

硒(Se)Selenium

用于制备硫系玻璃、红外材料、硒鼓材料、光电材料、静电摄影和其他光学仪器材料

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为客户提供完善的质量解决方案

碲化镉发电玻璃产品手册

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碲化镉发电玻璃产品手册

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